IPD046N08N5ATMA1
Infineon Technologies
Deutsch
Artikelnummer: | IPD046N08N5ATMA1 |
---|---|
Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3 |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
---|---|
1+ | $2.60 |
10+ | $2.34 |
100+ | $1.8804 |
500+ | $1.545 |
1000+ | $1.2801 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
VGS (th) (Max) @ Id | 3.8V @ 65µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PG-TO252-3 |
Serie | OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.6mOhm @ 45A, 10V |
Verlustleistung (max) | 125W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3800 pF @ 40 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 53 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 80 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 90A (Tc) |
Grundproduktnummer | IPD046 |
IPD046N08N5ATMA1 Einzelheiten PDF [English] | IPD046N08N5ATMA1 PDF - EN.pdf |
INFINEON TO-252
INFINEON TO-252
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-31
INFINEON TO-252
MOSFET
INFINEON TO-252
MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() IPD046N08N5ATMA1Infineon Technologies |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|